PC komponenty

 

Aktuální HW komponenty pro stavbu PC

 
 
 
 
 
 

další podkategorie PC komponenty

 
 
 
 
 
 

Status

 
 
 
 
 
 
 
 

Podrobné vyhledávání

 
 

Hledat:

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Řadit podle:

 
 Filtr skladu
 Filtr skladu
skladem
vše
 

skladem: 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 

 

 
Položek na stránku:

 
 
 

 
 

 

 

65

položek

4

stránky


 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 
 
 
96PSA-A36W12R1
96PSA-A36W12R1

Napájecí zdroj 12V/3A, 36W

    

 Doprodej 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
96PSA-A65W19V1-1
96PSA-A65W19V1-1

Napájecí zdroj 19V/3.4A, 65W

    

 Doprodej 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx8, -40°C~+85°C, 1.5V/1.35V
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx8, -40°C~+85°C, 1.5V/1.35V

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
32GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
32GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

32GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
32GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
32GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

32GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 2Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V Interface : DDR4 Form Factor : SODIMM Data Rate : 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, Capacity : 32GB Function : Non-ECC Unbuffered Me

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron

4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
96PSA-A150W24T2-3
96PSA-A150W24T2-3

Napájecí zdroj 24V/5A, 120W

    

 Novinka 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, -40°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, -40°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron

4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, -40°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
4GB DDR3L DIMM 1600MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
4GB DDR3L DIMM 1600MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

4GB DDR3L DIMM 1600MHz, 512Mx8, Micron, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

    
       
 
 
 
 
 
 
 
 
16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; Interface DDR4; Form Factor SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s; Capacity 16GB; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits; Voltage 1.2V; PCB Height 1.18 ...

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V; Non-ECC Unbuffer Memory; Interface : DDR3; Form Factor: SODIMM; Data Rate: 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s; Capacity: 8GB; Function: Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number: 2...

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V; Non-ECC Unbuffer Memory; Interface : DDR3; Form Factor: SODIMM; Data Rate: 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s; Capacity: 2GB; Function: Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number: ...

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specific...

    

 Novinka 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specificat...

    

 Novinka 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specification...

    
       
 
 
 
 
 
 
 
 
16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specificatio...

    
       
 
 
 
 
 
 
 
 
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V; Specifications: Interface DDR4; Form Factor WT SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s,; Capacity 4GB,; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits;...

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V Specifications: Interface DDR4 Form Factor WT SODIMM Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, Capacity 8GB, Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 260pin Width 64Bits Voltage 1.

    
       
 
 
 
 
 
 
 
 
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V Specifications: Interface DDR4 Form Factor UDIMM Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s Capacity 4GB, Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 288pin Width 64Bits Voltage 1.2V PCB

    

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 

 

 
Položek na stránku:

 
 
 

 
 

 

 

65

položek

4

stránky


 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
dalších 20 ...
 
 
 
 
 
  •  N 

     Novinka 

     V 

     Výprodej 

     S 

     Speciální nabídka 

     T 

     TOP produkt 

     A 

     Aktuálně nedostatek 

  • Skladem - Ústí
     

    - je skladem

    - k dispozici do 48 hodin

    - není skladem
    po kliknutí na ikony se zobrazí detailní dotazovač skladu
  • Body/ks - bodová hodnota produktu v promoakci;
  •  S 

     sestava 

    - sestava - sloučení komponent ve virtuální produkt,(komponenty se mohou prodávat i samostatně)
    - hák - produkt, k němuž se při prodeji automaticky přiřazují další produkty (například zdroj + přívodní šňůra apod.)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Košík
0 položek
 
0
 
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Přihlášení
 
  Registrace   Nové heslo
 
 
 

 

 
 
 
 

K provozování našeho webu e-shop.fccps.cz využíváme takzvané cookies. Cookies jsou soubory sloužící k přizpůsobení obsahu webu, k měření jeho funkčnosti a obecně k zajištění vaší maximální spokojenosti. Používáním tohoto webu souhlasíte se způsobem, jakým s cookies nakládáme.