PC komponenty

 

Aktuální HW komponenty pro stavbu PC

 
 
 
 
 
 

další podkategorie PC komponenty

 
 
 
 
 
 
 

Status

 
 
 
 
 
 
 
 

Podrobné vyhledávání

 
 

Hledat:

 Hledat 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Řadit podle:

 vzestupně 
 sestupně 
 
 Filtr skladu
 Filtr skladu
skladem
vše
 

skladem: 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
s obrázky
tabulkový výpis
galerie
 
 
 
 
 
 

 

 
 

 

 
Položek na stránku:

 
 
 

 
 

 

 

57

položek

3

stránky


 
 
 

 
 

 

 
1
2
3
dopředu o jednu stránku
na konec
vše najednou

 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 

M3S0-2GSJCCPC

 
 
2GB DDR3 SODIMM 1600MHz, 256Mx8, Samsung
2GB DDR3 SODIMM 1600MHz, 256Mx8, Samsung

2GB DDR3 SODIMM 1600MHz, 256Mx8, Samsung; Frekvence: 1600Mhz; Non-ECC Unbuffer Memory; Pracovní teplota: 0°C ~ +85°C

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku
       
 
 
 
 
 
 

M3S0-4GSSCLQE

 
 
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8; Non-ECC Unbuffer Memory; Pracovní teplota: 0°C ~ +85°C; Interface : DDR3; Form Factor: SODIMM; Data Rate: 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s; Capacity: 4GB; Function: Non-ECC Unbuffered Memory; Pin N...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4U0-4GSSJCIK

 
 
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; Specifications: Interface DDR4; Form Factor UDIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s; Capacity 4GB,; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 288pin; Width 64Bits; Voltage 1.2V; PCB...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4U0-8GS1JCIK

 
 
8GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V Specifications: Interface DDR4 Form Factor UDIMM Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s Capacity 8GB, Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 288pin Width 64Bits Voltage 1.2V PCB Hei

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M3U0-4GSSBLQE

 
 
4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Samsung, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Samsung, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

4GB DDR3L DIMM 1866MHz, 512Mx8, Samsung, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V Specifications: Interface DDR3 Form Factor UDIMM Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s Capacity 4GB Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 240pin Width 64Bits Vo

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

96PSA-A60W24T2

 
 
96PSA-A60W24T2
96PSA-A60W24T2

Napájecí zdroj 24V/2.5A, 60W

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-8GS1NCIK

 
 
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; Interface DDR4; Form Factor SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s; Capacity 8GB; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits; Voltage 1.2V; PCB Height...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M2SK-1GSF5C06-G

 
 
M2SK-1GSF5C06-G
M2SK-1GSF5C06-G

1GB DDR2 SODIMM 800MHz, 128Mx8, Samsung; Frekvence: 800Mhz; Non-ECC Unbuffer Memory; Pracovní teplota: 0°C ~ +85°C;

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 Výprodej 

     
 
 
 
 
 
 

M2SK-2GSF6C06-G

 
 
M2SK-2GSF6C06-G
M2SK-2GSF6C06-G

2GB DDR2 SODIMM 800MHz, 128Mx8, Samsung; Frekvence: 800Mhz; Non-ECC Unbuffer Memory; Pracovní teplota: 0°C ~ +85°C;

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 Výprodej 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-4GSSNCIK

 
 
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; Interface DDR4; Form Factor SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s; Capacity 4GB; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits; Voltage 1.2V; PCB Heig...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-AGS1OCIK

 
 
16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

16GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; Interface DDR4; Form Factor SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s; Capacity 16GB; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits; Voltage 1.2V; PCB Height 1.18 ...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M3S0-8GSSDLQE

 
 
8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

8 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V; Non-ECC Unbuffer Memory; Interface : DDR3; Form Factor: SODIMM; Data Rate: 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s; Capacity: 8GB; Function: Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number: 2...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M3S0-2GSVFLQE

 
 
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V
2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V

2 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 256Mx16, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V; Non-ECC Unbuffer Memory; Interface : DDR3; Form Factor: SODIMM; Data Rate: 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s; Capacity: 2GB; Function: Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number: ...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Zboží na cestě

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-4GSS3CIK

 
 
4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 512Mx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specific...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku

 Novinka 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-8GS13CIK

 
 
8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 SO-DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specificat...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku

 Novinka 

     
 
 
 
 
 
 

M4U0-8GS1VCIK

 
 
8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specification...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku
       
 
 
 
 
 
 

M4U0-AGS1WCIK

 
 
16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V
16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V

16GB DDR4 DIMM VLP, 2666MHz, 1Gx8, Samsung 0°C~+85°C, 1.2V; VLP moduly jsou svou kompaktní velikostí přizpůsobeny pro použití v 1U systémech. Moduly jsou plně kompatibilní s platformou Intel® Purely a splňují všechny příslušné normy JEDEC. Specificatio...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku
       
 
 
 
 
 
 

M4S0-4GSSN5IK

 
 
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V; Specifications: Interface DDR4; Form Factor WT SODIMM; Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s,; Capacity 4GB,; Function Non-ECC Unbuffered Memory; Pin Number 260pin; Width 64Bits;...

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 

M4S0-8GS1N5IK

 
 
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

8GB DDR4 SO-DIMM, 2666MHz, 1Gx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V Specifications: Interface DDR4 Form Factor WT SODIMM Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, Capacity 8GB, Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 260pin Width 64Bits Voltage 1.

    
Porovnat
 do košíku 
 
Na objednávku
       
 
 
 
 
 
 

M4U0-4GSSJ5IK

 
 
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V
4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V

4GB DDR4 DIMM, 2666MHz, 512Mx8, Samsung -40°C~+85°C, 1.2V Specifications: Interface DDR4 Form Factor UDIMM Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s Capacity 4GB, Function Non-ECC Unbuffered Memory Pin Number 288pin Width 64Bits Voltage 1.2V PCB

    
Porovnat
 do košíku 
 
Skladem

 TOP produkt 

     
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 

 

 
Položek na stránku:

 
 
 

 
 

 

 

57

položek

3

stránky


 
 
 

 
 

 

 
1
2
3
dopředu o jednu stránku
na konec
vše najednou

 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
dalších 20 ...
 
 
 
 
 

  •  N 

     Novinka 

     V 

     Výprodej 

     S 

     Speciální nabídka 

     T 

     TOP produkt 

     A 

     Aktuálně nedostatek 

  • Skladem - Ústí
     

    - je skladem

    - k dispozici do 48 hodin

    - není skladem
    po kliknutí na ikony se zobrazí detailní dotazovač skladu
  • Body/ks - bodová hodnota produktu v promoakci;

  •  S 

     sestava 

    - sestava - sloučení komponent ve virtuální produkt,(komponenty se mohou prodávat i samostatně)

     H 

     hák 

    - hák - produkt, k němuž se při prodeji automaticky přiřazují další produkty (například zdroj + přívodní šňůra apod.)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
CZK |  EUR
 
 
 
 
 
 
Košík
0 položek
 
   
 
0
 
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Přihlášení
   
 
 
  Registrace   Nové heslo
 
 
 

 

 

Zobrazit klasickou verzi

Provozuje FCC průmyslové systémy s.r.o.

Technické řešení © 2019 CyberSoft s.r.o.

 
 
 

K provozování našeho webu e-shop.fccps.cz využíváme takzvané cookies. Cookies jsou soubory sloužící k přizpůsobení obsahu webu, k měření jeho funkčnosti a obecně k zajištění vaší maximální spokojenosti. Používáním tohoto webu souhlasíte se způsobem, jakým s cookies nakládáme.